【講座主題】二維層狀范德華半導(dǎo)體材料的機遇與挑戰(zhàn)
【主講人】：Young Hee Lee （李永熙，中科院外籍院士、韓國科學(xué)技術(shù)翰林院院士、湖北工業(yè)大學(xué)教授、北京大學(xué)客座講席教授）
【講座時間】: 2025年9月19日 周五 14:30-16:00
【講座地點】: 主樓D260
【主講人簡介】
Young Hee Lee（李永熙），韓國國籍，低維材料物理學(xué)家，1955年7月出生于韓國。1982年在全北國立大學(xué)獲得學(xué)士學(xué)位，1982年和1986年分別在美國肯特州立大學(xué)獲得碩士和博士學(xué)位。曾任韓國基礎(chǔ)科學(xué)研究院集成納米結(jié)構(gòu)物理中心主任，成均館大學(xué)能源科學(xué)系和物理系教授。2007年入選韓國科學(xué)技術(shù)翰林院院士，2020年入選發(fā)展中國家科學(xué)院院士，2021年入選中國科學(xué)院外籍院士。 現(xiàn)任湖北工業(yè)大學(xué)教授、北京大學(xué)客座講席教授。
李永熙教授長期致力于低維材料、物性及其應(yīng)用研究，尤其在二維材料和異質(zhì)結(jié)的生長領(lǐng)域取得了重要突破。他是晶圓級單晶單層/多層石墨烯的首個制備者，并率先在MoTe2中實現(xiàn)了從2H半導(dǎo)體到1T或1T'金屬相的轉(zhuǎn)變，提出了控制二維材料相變的新思路。他還發(fā)明了二維鐵磁半導(dǎo)體的生長技術(shù)，在V-WSe2中實現(xiàn)了室溫鐵磁特性，并在二維MoTe2和WSe2中利用載流子倍增效應(yīng)實現(xiàn)了接近99%的能量轉(zhuǎn)換效率。李永熙教授在碳納米管應(yīng)用領(lǐng)域也做出了重要貢獻，首次實現(xiàn)了基于單壁碳納米管的超級電容器，這項技術(shù)已廣泛應(yīng)用于觸摸屏等領(lǐng)域。此外，他與三星公司合作，開發(fā)了32英寸FED平板顯示器，推動了碳納米材料在電子與能源領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化。
李永熙教授曾多次獲得學(xué)術(shù)獎勵，包括2005年韓國物理學(xué)會科學(xué)獎、2008年科學(xué)與教育總統(tǒng)獎、2014年蘇堂獎和2017年中國科學(xué)院IMR愛因斯坦獎，并被科睿唯安評為“高被引科學(xué)家”多年。截至2025年9月，李永熙教授已發(fā)表600余篇學(xué)術(shù)論文，SCI引用超過4.7萬次，H指數(shù)為107。他的研究成果在納米科學(xué)與納米技術(shù)領(lǐng)域處于世界領(lǐng)先地位，并為韓國和全球的科技進步做出了巨大貢獻。
【講座內(nèi)容】
自1991年碳納米管（CNTs）和2004年石墨烯被發(fā)現(xiàn)以來，隨后過渡金屬二硫?qū)倩铮═MDs）等材料的出現(xiàn)，引發(fā)了層狀范德華材料在基礎(chǔ)科學(xué)和應(yīng)用研究中的熱潮。由于CNTs和石墨烯在部分應(yīng)用中的局限性，人們又廣泛探索了其他二維材料，如TMDs、六方氮化硼（hBN）以及黑磷（BP），在物理學(xué)、電子學(xué)和光電子學(xué)等領(lǐng)域不斷拓展新的方向。同時，這些材料在谷電子學(xué)、自旋電子學(xué)、扭曲電子學(xué)和軌道電子學(xué)等新興領(lǐng)域也展現(xiàn)出巨大潛力。其背后關(guān)鍵的物理機制包括強庫侖作用、減弱的電荷屏蔽效應(yīng)、較高的激子束縛能，以及顯著的自旋–軌道耦合，為基礎(chǔ)研究和實際應(yīng)用都提供了重要機遇。本次報告將重點介紹范德華半導(dǎo)體及其器件領(lǐng)域面臨的一些關(guān)鍵挑戰(zhàn)，包括歐姆接觸、載流子遷移率與開態(tài)電流、室溫鐵磁半導(dǎo)體、熱載流子太陽能電池，以及電子學(xué)中的玻色–愛因斯坦凝聚等問題。